基于MOSFET的低场核磁共振Q转换电路
授权号:201510613680.9
授权日期:2018-06-22 00:00:00
申请号:201510613680.9
发明作者:肖立志,冯硕,朱明达,杨光,廖广志
专利状态:专利授权
专利类型:发明专利
专利名称:基于MOSFET的低场核磁共振Q转换电路